ایران پروژه

دانلود مقاله Effect of Ion Implantation on the Resistance of Channel Region in the LDMOSFET فایل ورد (word) دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد دانلود مقاله Effect of Ion Implantation on the Resistance of Channel Region in the LDMOSFET فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله Effect of Ion Implantation on the Resistance of Channel Region in the LDMOSFET فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن دانلود مقاله Effect of Ion Implantation on the Resistance of Channel Region in the LDMOSFET فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1391
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 4
نویسنده(ها):
Mahdi Ghasemi – Department of Electrical Engineering, South Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran

چکیده:

In this paper we show the effect of ion implantation on the resistance of the LDMOSFET. In the ion implanted channel (IIC) LDMOSFET the channel region charge ismodified, thus the inversion layer charge is changed. Since the resistance in a MOSFET is determined by the inversion layercharge, the resistance of the channel region may be varied. By employing the IIC structure, the inversion layer charge decreases and thus the resistance increases.

کلمات کلیدی :